6A10-G【PDF 3/3 页】RECTIFIER GP 1000V 6.0A R-6

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SMD

Diodes

Specialist

Page 2

QW-BG014

REV:A

Marking Code

XXX / XXXX = Product type marking code

Standard Package

6Axxx

General Purpose Silicon Rectifiers

6A005-G

6A01-G

6A02-G

6A04-G

6A06-G

6A08-G

6A10-G

Part Number

Marking code

6A05

6A1

6A2

6A4

6A6

6A8

6A10

6A005B-G

6A01B-G

6A02B-G

6A04B-G

6A06B-G

6A08B-G

6A10B-G

6A05

6A1

6A2

6A4

6A6

6A8

6A10

Case

T

ype

AMMO

P

ACK

500

R-6

Box

/

C

arton

10

5,000

B

ox

(

E

A

)

CARTON

(

E

A

)

(EA)

Case

T

ype

BULK

P

ACK

250

R-6

Box

/

C

arton

24

6,000

B

ox

(

E

A

)

CARTON

(

E

A

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(EA)

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